在電子器件表面清洗、太陽能電池的生產、激光技術、氣相絕緣、低溫制冷、泄漏檢驗劑、控制宇宙火箭姿態、印刷電路生產中的去污劑等方面也大量使用。因為導致臭氧層破壞的是氟氯烴中的氯原子,它被紫外線輻射擊中時會分離。碳-氟鍵比較強,因此分離的可能性比較低。反應放熱后,氟開始和碳化硅進行反應,通入等體積的干燥氮氣以稀釋氟氣,使反應繼續進行,生成氣體通過液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝,然后慢慢地氣化。
四氟化1碳一般認為是惰性低毒物質,在高濃度下是窒息劑,其毒性不及四氯1化碳。四氯1化碳與氟1化氫的反應在填有氫1氧化鉻的高溫鎳管中進行,反應后的氣體經水洗、堿洗除去酸性氣體,再通過冷凍,用硅膠除去氣體中的水分經精餾而得成品。預先稱取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的單質硅粉,置于鎳盤中,使硅和碳化硅充分接觸后,將鎳盤放入蒙乃爾合金反應管中,向反應管內通入氟氣,氟氣先和單質硅反應。
四氟化碳(CF4)早就是通過氟碳直接反應法制得的,該方法經過不斷的發展與完善, 如今已成為工業上制備全的主要的方法之一。高純四氟化碳是純度在99.999%以上的四氟化碳產品,是一種無色無味氣體。高純四氟化碳不可燃燒,在常溫常壓條件下化學性質穩定,在密閉容器中遇高熱有危險,不溶于水,可溶于苯、等部分溶劑。以活性炭與氟為原料經氟化反應制備。在裝有活性炭的反應爐中,緩緩通入高濃氟氣,并通過加熱器加熱、供氟速率和反應爐冷卻控制反應溫度。
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